Memórias « Colunistas

01 Set 2010

Toshiba inicia a fabricação de chips Nand de 8GB em 24nm

Postado em Direto da Redação as 23:00 - 01/09/2010 - Por Daniel Figueiredo.

Toshiba inicia a fabricação de chips Nand Flash em 24nm

A Toshiba já começou a fabricação em massa de seus chips de memória Nand Flash em 24nm, os mais densos de todos. Estes chips utilizam células de 2 bits MLC e tecnologia de 24nm, com capacidade de 8GB. Além disso, haverá a presença da tecnologia Toogle DDR para melhorar a taxa de transferência de dados. Outra memória está sendo fabricada simultaneamente, com capacidade de 4GB e a base de células de 3 bits. Vale lembrar que os SSDs utilizam estes chips para [...]

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26 Ago 2010

Overclock extremo: memórias DDR3 a 3.068MHz

Postado em Direto da Redação as 16:29 - 26/08/2010 - Por Daniel Figueiredo.

Overclock extremo: memórias DDR3 a 3.068MHz

Na GamesCom 2010, um grupo de overclockers conseguiu atingir um recorde de clock para memórias: 3.068MHz. Para atingir esse número, eles utilizaram nitrogênio líquido para refrigerar os dois módulos Kingston DDR3 de 1GB com clock de 2.333MHz. O equipamento usado foi uma placa-mãe Gigabyte P55-UD6, processador Core i7 870, um SSD Kingston de 512GB e uma HD5670. A CPU também foi “sacrificada”, com um clock de 4.347MHz também sob nitrogênio. 3.068MHz é um número impressionante, e mostra que as DDR3 ainda tem [...]

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26 Ago 2010

OCZ abandona o mercado de memórias Value

Postado em Direto da Redação as 07:50 - 26/08/2010 - Por SKuLL_DeviLL.

OCZ abandona o mercado de memórias Value

A OCZ anunciou a sua saída do mercado de memórias de entrada de linha (Value) para se concentrar nos modelos de alta performance e nos SSD. Segundo Ryan Petersen, CEO da OCZ Technology “O segmento Value DRAM basicamente já não oferecia nenhum benefício para a companhia. Considerando a nossa grande trajetória no segmento do SSD – os SSDs hoje representam 50% do nosso negócio – e o fato de que nós dominamos todos os segmentos do mercado do SSD em termos [...]

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26 Ago 2010

Eterna FCVD permite gravar em menos de 20 nm

Postado em Direto da Redação as 07:45 - 26/08/2010 - Por SKuLL_DeviLL.

Eterna FCVD permite gravar em menos de 20 nm

A Applied Materials, companhia norte-americana que fornece equipamentos para fabricantes de processadores, anunciou o desenvolvimento de uma tecnologia que permite isolar eletricamente os transistores gravados em 20nm, ou menos, depositando sobre o wafer um filme de alta qualidade. O principio é simples, mas a empresa não forneceu maiores detalhes. O filme líquido se adapta a qualquer estrutura para preencher os espaços que possam existir entre os componentes. De acordo com a companhia, este material sairá relativamente barato e o processo de [...]

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17 Ago 2010

Futuras memórias DDR4 alcançarão 4.266MHz

Postado em Direto da Redação as 10:24 - 17/08/2010 - Por Daniel Figueiredo.

Futuras memórias DDR4 alcançarão 4.266MHz

As memórias DDR3 ainda não estão consolidadas no mercado, com uma grande quantidade de DDR2 ainda presente. Mas como no mundo da tecnologia, quanto mais inovação melhor, os parâmetros da DDR4 já estão sendo estudados. Na conferência Memcon em Tokyo, Bill Gervasi, vice-presidente de engenharia da US Modular e membro do staff de diretores da JEDEC (entidade responsável pela padronização das memórias), revelou que o clock alvo para as memórias DDR4 será entre 2.133MHz e 4.266MHz. Aparentemente, a JEDEC e os [...]

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11 Ago 2010

Hynix inicia a fabricação de chips Nand Flash em 20nm

Postado em Direto da Redação as 14:42 - 11/08/2010 - Por Daniel Figueiredo.

Hynix inicia a fabricação de chips Nand Flash em 20nm

A Hynix já começou a produzir chips Nand Flash em 20nm de 64GB. Isto significa que os dispositivos de armazenamento baseados em memória flash em breve ficarão ainda maiores e mais baratos. Substituindo os modelos anteriores de 32GB pelo de 64GB, a capacidade de armazenamento deve duplicar, tornando os dispositivos maiores sob um mesmo espaço físico. Além disso, usando menos chips para alcançar a mesma capacidade, o consumo de energia diminuirá, beneficiando principalmente portáteis. A Hynix afirma que sua fábrica que produz [...]

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06 Ago 2010

Galaxy: 1250 MHz para as memórias GDDR5 das GTX 460

Postado em Direto da Redação as 14:23 - 06/08/2010 - Por SKuLL_DeviLL.

Galaxy: 1250 MHz para as memórias GDDR5 das GTX 460

Segundo algumas fontes, a Galaxy brevemente poderá utilizar nas suas GeForce GTX 460 memórias GDDR5 fabricadas pela Samsung e certificadas a 0,4ns, em substituição a memória GDDR5 0,5ns utilizada pelas GeForce GTX 460 tradicionais. A freqüência máxima teórica atingível pela memória GDDR5 0,5ns é 1000 MHz. No entanto, a maioria das GeForce GTX 460 rodam a memória integrada a 900 MHz. A memória GDDR5 0,4ns que a Galaxy pretende utilizar permitirá atingir uma freqüência máxima de 1250 MHz. Resumindo, apenas os [...]

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04 Ago 2010

Memória Kingston HyperX H2O com refrigeração líquida

Postado em Direto da Redação as 15:49 - 04/08/2010 - Por Daniel Figueiredo.

Memória Kingston HyperX H2O com refrigeração líquida

A Kingston acaba de anunciar uma memória curiosa: as HyperX H2O DDR3 com refrigeração através de líquidos. Estas memórias usam um conjunto já vindo de fábrica, sem a necessidade de montar uma solução própria. Há 3 kits disponíveis, com características distintas. O KHX2000C9AD3W1K2/4GX possui um clock de 2.000MHz e latências de 9-11-9-27 e consiste num par de 2GB para dual-channel, totalizando 4GB. O preço deste kit é de 157 dólares. O KHX2133C9AD3W1K2/4GX possui as mesmas latências do modelo anterior, porém com [...]

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30 Jul 2010

Os kits de 8 e 12 GB DDR3 da Mushkin

Postado em Direto da Redação as 14:45 - 30/07/2010 - Por SKuLL_DeviLL.

Os kits de 8 e 12 GB DDR3 da Mushkin

A Mushkin anunciou o lançamento de dois novos kits de memória DDR3 na sua linha Ridgeback. O primeiro (996953) reúne dois módulos de 4GB e eles são destinados a plataforma LGA 1156 (embora nada proíba a utilização sobre outras plataformas compatíveis), enquanto que o segundo (998953) é composto de três módulos de 4GB e dedicados a plataforma LGA 1366. Dotados de dissipadores térmicos feitos de alumínio, os módulos de memória funcionam a uma freqüência de 2000 MHz com uma latência de [...]

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27 Jul 2010

JEDEC padroniza a memória DDR3 Low Voltage

Postado em Direto da Redação as 14:48 - 27/07/2010 - Por SKuLL_DeviLL.

JEDEC padroniza a memória DDR3 Low Voltage

O JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), órgão responsável pelas padronizações dos semicondutores, acrescentou o DDR3L a lista dos padrões da memória DDR3. Já disponível através de vários fabricantes, a DDR3L, ou DDR3 Low Voltage, funciona com uma tensão de 1,35V, diferente da DDR3 tradicional que opera com uma tensão de 1,5V. Esta diminuição da tensão permitiu reduzir o consumo em 15% na mesma freqüência de funcionamento. A padronização deste tipo de memória permitirá acelerar significativamente a sua adoção em todos os [...]

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